- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录461 > IXTH15N50L2 (IXYS)MOSFET N-CH 15A 500V TO-247
IXTA15N50L2 IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
16
Fig. 1. Output Characteristics @ T J =25oC
V GS = 20V
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
14
12
10
12V
10V
9V
8V
35
30
25
14V
12V
10V
9V
8
20
6
4
2
0
7V
6V
5V
15
10
5
0
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value vs.
Junction Temperature
14
12
V GS = 20V
10V
9V
2.4
V GS = 10V
8V
2.0
I D = 15A
10
I D = 7.5A
8
7V
1.6
6
1.2
4
6V
0.8
2
0
5V
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value vs.
Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
V GS = 10V
T J = 125oC
14
2.6
12
2.2
10
1.8
8
1.4
T J = 25oC
6
4
1.0
2
0.6
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXTH160N075T
MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
IXTH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXTH16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
IXTH180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
IXTH182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
IXTH200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
IXTH200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
IXTH20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXTH15N55
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N60
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N65
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N70
制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode
IXTH15P15
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15P20
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH160N075T
功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH160N10T
功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube